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導(dǎo)航

晶圓襯底 光刻膠 掩膜版 無塵耗材 設(shè)備銷售
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硅片
  • 硅片
    1、 摻雜類型：N，P
    2、 晶向：<100>，<110>，<111>
    3、 直徑：2~8英寸
  • 硅片
    4、電阻率：常用各種范圍均提供，0.001~2000歐姆.厘米 5、TTV、平整度、彎曲度、翹曲度、直徑工差、厚度工差、晶向偏離度等參數(shù)按照Semi標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行
  • SOI硅片
    1. 直徑4～8英寸
    2.可提供Bonding工藝SOI和Smart cut工藝SOI
  • SOI硅片
    3.器件層厚度最薄可到150nm，埋氧層厚度可到最薄1um 4. 可根據(jù)用戶所需器件層、埋氧層、體硅各層材料的參數(shù)定制，以及多層SOI的定制
  • 氧化硅片（國(guó)產(chǎn)/進(jìn)口）
    1.直徑 1～8英寸 2.氧化層厚度：10nm～20um 3.氧化硅片是指在硅片表面存在一層氧化層，氧化層的厚度根據(jù)用戶需求而定。
  • 氧化硅片（國(guó)產(chǎn)/進(jìn)口）
    4. 厚度2um的氧化層，需要定制加工
    5. 根據(jù)產(chǎn)品工藝要求可提供干濕干氧和純干氧不同工藝氧化片。
  • 氮化硅片
    1、 直徑2～8英寸
    2、 氮化硅片是指表面有氮化硅層的硅片，一般運(yùn)用LPCVD沉積氮化硅層。
  • 氮化硅片
    3、 加工的厚度范圍從50nm—3um。
    4、 庫(kù)存有部分現(xiàn)貨，可致電詳詢。
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