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硅片

硅片

1、摻雜類型：N，P
2、晶向：<100>，<110>，<111>
3、直徑：2~8英寸
硅片

4、電阻率：常用各種范圍均提供，0.001~2000歐姆.厘米 5、TTV、平整度、彎曲度、翹曲度、直徑工差、厚度工差、晶向偏離度等參數按照Semi標準執行
SOI硅片

1. 直徑4～8英寸
2.可提供Bonding工藝SOI和Smart cut工藝SOI
SOI硅片

3.器件層厚度最薄可到150nm，埋氧層厚度可到最薄1um 4. 可根據用戶所需器件層、埋氧層、體硅各層材料的參數定制，以及多層SOI的定制
氧化硅片（國產/進口）

1.直徑 1～8英寸 2.氧化層厚度：10nm～20um 3.氧化硅片是指在硅片表面存在一層氧化層，氧化層的厚度根據用戶需求而定。
氧化硅片（國產/進口）

4. 厚度2um的氧化層，需要定制加工
5. 根據產品工藝要求可提供干濕干氧和純干氧不同工藝氧化片。
氮化硅片

1、直徑2～8英寸
2、氮化硅片是指表面有氮化硅層的硅片，一般運用LPCVD沉積氮化硅層。
氮化硅片

3、加工的厚度范圍從50nm—3um。
4、庫存有部分現貨，可致電詳詢。

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