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導航

光刻 刻蝕 鍍膜 鍵合 PI工藝 PDMS 離子注入 切割打孔 減薄拋光 PMMA工藝
當前位置：首頁 >> 半導體芯片工藝
光刻
  • 接觸式光刻
    最小圖形尺寸：1.5μm，套刻精度：±500nm
    樣品尺寸：8inch及以下、不規則小片
  • 步進式光刻
    投影比例1:5，最小圖形尺寸：300nm，套刻精度≤100nm(X,Y)，曝光范圍<20*20mm
    樣品尺寸：8inch及以下
  • 電子束光刻
    最小圖形尺寸：5nm，套刻精度：10nm,電壓10-20kV
    樣品尺寸：4inch及以下、不規則小片
案例展示

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